Wie bitte? Weebit Nano - Next-Gen Memory Solution! (Seite 23)
eröffnet am 10.11.21 12:36:45 von
neuester Beitrag 16.05.24 10:31:59 von
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Weebit Nano’s ReRAM IP achieves high temperature qualification in SkyWater Technology’s S130 process 20.11.23 · globenewswire |
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WeeBit hat einen neuen Chief Scientific Officer, kommt direkt vom LETI und hat dort seit 2004 u.a. an ReRAM geforscht (ist aus LinkedIn):
**riel Molas wurde 1979 in Paris, Frankreich, geboren. Er erwarb den BS und MS in Physikingenieurwesen mit Spezialisierung auf Mikroelektronik (2001) und den Doktortitel in Mikro- und Nanoelektronik am Polytechnischen Institut von Grenoble, Frankreich (2004), mit einer Arbeit über wenige Elektronenspeicher.
Seit 2004 arbeitet er als Forschungsingenieur am LETI (Labor für Elektronik, Technologie und Instrumentierung des CEA, Grenoble).
Sein Forschungsinteresse gilt der Verarbeitung, dem Engineering, der elektrischen Charakterisierung und der Modellierung innovativer nichtflüchtiger Speicherbausteine.
Von 2004 bis 2008 arbeitete er als Forschungswissenschaftler an der Verarbeitung innovativer Speicherbausteine und war an verschiedenen industriellen und institutionellen Projekten beteiligt.
Von 2008 bis 2011 war er im LETI-Labor für Speicherkomponenten für die Aktivität "Ladungsfallen-Speicher" verantwortlich. Er war auf Seiten des LETI für verschiedene industrielle und institutionelle Projekte verantwortlich.
Im Jahr 2011 wechselte er zu Resistive RAM (CBRAM, OXRAM), wo er für Industrieprojekte zuständig war. Seit 2016 ist er bei LETI Senior-Experte für nichtflüchtige Speicher. Seit 2018 ist er für die LETI RRAM-Aktivitäten verantwortlich. Im Jahr 2020 wurde er außerdem zum wissenschaftlichen Delegierten des mikroelektronischen Dienstes des LETI ernannt.
Er ist Autor oder Mitautor von mehr als 140 Veröffentlichungen auf internationalen Konferenzen (darunter 23 IEDM und mehr als 17 eingeladene Vorträge), 1 Kurzlehrgang (IEDM), 1 Tutorial, 47 Artikeln in begutachteten Zeitschriften, 4 Buchkapiteln, 20 Patenten, 23 als H-Index.
Er ist Gutachter für mehrere internationale Fachzeitschriften (IEEE Journals, Solid State Elec...). Er ist/war Mitglied mehrerer technischer Ausschüsse (IEDM "Memory Technology" subcommittee 2010-2011, IEEE ESSDERC technical committee 2015, IRPS "Neuromorphic Computing" committee 2019, 2020) und Organisationskomitees (co-organizer of Fall MRS Memory Symposium 2015 -2016, 2016-2019 IEEE International Memory Workshop organizing committee, 2018 general chair, 2020 advisory committee member, ESSDERC 2020 Financial chair). Im Jahr 2019 wurde er IEEE Senior Member.
Gut 👍
**riel Molas wurde 1979 in Paris, Frankreich, geboren. Er erwarb den BS und MS in Physikingenieurwesen mit Spezialisierung auf Mikroelektronik (2001) und den Doktortitel in Mikro- und Nanoelektronik am Polytechnischen Institut von Grenoble, Frankreich (2004), mit einer Arbeit über wenige Elektronenspeicher.
Seit 2004 arbeitet er als Forschungsingenieur am LETI (Labor für Elektronik, Technologie und Instrumentierung des CEA, Grenoble).
Sein Forschungsinteresse gilt der Verarbeitung, dem Engineering, der elektrischen Charakterisierung und der Modellierung innovativer nichtflüchtiger Speicherbausteine.
Von 2004 bis 2008 arbeitete er als Forschungswissenschaftler an der Verarbeitung innovativer Speicherbausteine und war an verschiedenen industriellen und institutionellen Projekten beteiligt.
Von 2008 bis 2011 war er im LETI-Labor für Speicherkomponenten für die Aktivität "Ladungsfallen-Speicher" verantwortlich. Er war auf Seiten des LETI für verschiedene industrielle und institutionelle Projekte verantwortlich.
Im Jahr 2011 wechselte er zu Resistive RAM (CBRAM, OXRAM), wo er für Industrieprojekte zuständig war. Seit 2016 ist er bei LETI Senior-Experte für nichtflüchtige Speicher. Seit 2018 ist er für die LETI RRAM-Aktivitäten verantwortlich. Im Jahr 2020 wurde er außerdem zum wissenschaftlichen Delegierten des mikroelektronischen Dienstes des LETI ernannt.
Er ist Autor oder Mitautor von mehr als 140 Veröffentlichungen auf internationalen Konferenzen (darunter 23 IEDM und mehr als 17 eingeladene Vorträge), 1 Kurzlehrgang (IEDM), 1 Tutorial, 47 Artikeln in begutachteten Zeitschriften, 4 Buchkapiteln, 20 Patenten, 23 als H-Index.
Er ist Gutachter für mehrere internationale Fachzeitschriften (IEEE Journals, Solid State Elec...). Er ist/war Mitglied mehrerer technischer Ausschüsse (IEDM "Memory Technology" subcommittee 2010-2011, IEEE ESSDERC technical committee 2015, IRPS "Neuromorphic Computing" committee 2019, 2020) und Organisationskomitees (co-organizer of Fall MRS Memory Symposium 2015 -2016, 2016-2019 IEEE International Memory Workshop organizing committee, 2018 general chair, 2020 advisory committee member, ESSDERC 2020 Financial chair). Im Jahr 2019 wurde er IEEE Senior Member.
Gut 👍
Antwort auf Beitrag Nr.: 70.630.756 von microby am 25.01.22 09:56:00Ja, das habe ich mir ebenfalls gedacht. Bei HotCopper hat auch jemand eine - auch für Laien verständliche - Analogie dazu gepostet, so dass man die Technologie gut nachvollziehen kann:
Stellen Sie sich ein voll besetztes Wohnhochhaus vor, 10 Stockwerke, 6 Einheiten pro Stockwerk. Um die Bewohner (Daten) in einer Einheit auf Ebene 5 anzusprechen, wird das gesamte Hochhaus geleert und dann neu organisiert, während die Bewohner wieder hineingehen.
Mit dem WBT-Selektor können nach der Identifizierung nur die Bewohner der Zieleinheit(en) angesprochen werden. Der Schlüssel liegt darin, die Bewohner in den Einheiten direkt daneben, darüber oder darunter nicht zu stören.
Hier noch dazu die Twittermeldung von WeeBit:
Sehr interessant fand ich an der Meldung auch den Verweis auf den Einsatz in einer KI-Architektur. Jetzt muss der Mini-Crash an den Börsen nur noch vorbeiziehen - und dann kann es losgehen.
Stellen Sie sich ein voll besetztes Wohnhochhaus vor, 10 Stockwerke, 6 Einheiten pro Stockwerk. Um die Bewohner (Daten) in einer Einheit auf Ebene 5 anzusprechen, wird das gesamte Hochhaus geleert und dann neu organisiert, während die Bewohner wieder hineingehen.
Mit dem WBT-Selektor können nach der Identifizierung nur die Bewohner der Zieleinheit(en) angesprochen werden. Der Schlüssel liegt darin, die Bewohner in den Einheiten direkt daneben, darüber oder darunter nicht zu stören.
Hier noch dazu die Twittermeldung von WeeBit:
Sehr interessant fand ich an der Meldung auch den Verweis auf den Einsatz in einer KI-Architektur. Jetzt muss der Mini-Crash an den Börsen nur noch vorbeiziehen - und dann kann es losgehen.
Antwort auf Beitrag Nr.: 70.611.787 von error_ am 23.01.22 23:30:49
genau mein Geschmack!
ganz deutlich liest man da die kommende Entwicklung heraus
"Dank dieser Architektur können die Arrays von Weebit auch in 3D-Schichten gestapelt werden, so dass sie noch höhere Dichten liefern können."
klar oder?
Jetzt geht´s an die kommenden Produkte! Jetzt wird um leistungsfähig zu werden, zusammengepackt, gestapelt, hochskalliert. Und zwar so, das eben diese discrete - stand alone - Speicher entstehen können.
Das macht neugierig, oder?
Viele Grüße!
die Zukunft zwischen den Zeilen herauslesen
error, Klasse das Du diese Meldung hier gleich reingesetzt hast, läuftgenau mein Geschmack!
ganz deutlich liest man da die kommende Entwicklung heraus
"Dank dieser Architektur können die Arrays von Weebit auch in 3D-Schichten gestapelt werden, so dass sie noch höhere Dichten liefern können."
klar oder?
Jetzt geht´s an die kommenden Produkte! Jetzt wird um leistungsfähig zu werden, zusammengepackt, gestapelt, hochskalliert. Und zwar so, das eben diese discrete - stand alone - Speicher entstehen können.
Das macht neugierig, oder?
Viele Grüße!
Neue Ankündigung
https://www.asx.com.au/asx/statistics/displayAnnouncement.do…Übersetzung:
Weebit Nano demonstriert seine ersten Crossbar ReRAM Arrays
Neuester Meilenstein kombiniert Weebits ReRAM-Technologie mit einem Selektor
Vielfältige Einsatzmöglichkeiten, darunter diskrete Speicherchips und neuromorphes Computing
24. Januar 2022
Weebit Nano Limited (ASX:WBT; Weebit oder das Unternehmen), ein führender Entwickler von Speichertechnologien der nächsten Generation für die globale Halbleiterindustrie, freut sich bekannt zu geben, dass es zusammen mit seinem Entwicklungspartner CEA-Leti seine ersten einsatzfähigen Crossbar-Arrays demonstriert hat, die seine ReRAM-Technologie mit einem Selektor kombinieren. Dies ist ein wichtiger Meilenstein auf dem Weg des Unternehmens zur Entwicklung diskreter (eigenständiger) nichtflüchtiger Speicherchips (NVM).
Diskrete Speicherchips bestehen aus großen Arrays von Speicherzellen, die von Megabit (Mb oder eine Million Bits) bis zu mehreren Gigabit (Gb oder eine Milliarde Bits) groß sind. Sie erfordern daher eine sehr hohe Speicherdichte, um so viel Speicher wie möglich auf einem Stück Silizium unterzubringen.
Die in eingebetteten ReRAM-Arrays verwendete 1T1R-Architektur (ein Transistor ein Widerstand) reicht nicht aus, um die großen Arrays von Speicherzellen zu unterstützen, die in diskreten (eigenständigen) Speicherchips benötigt werden, da die Transistoren zu groß sind. Aus diesem Grund wurden die Crossbar-Arrays von Weebit mit einer 1S1R-Architektur (ein Selektor ein Widerstand) entwickelt, die die für diskrete Chips erforderliche hohe Dichte ermöglicht. Dank dieser Architektur können die Arrays von Weebit auch in 3D-Schichten gestapelt werden, so dass sie noch höhere Dichten liefern können.
Die 1S1R Crossbar ReRAM-Architektur von Weebit hat potenzielle Anwendungen in Speicherklassen, persistenten Speichern und als NOR-Flash-Ersatz. Sie ist auch ideal für KI-Architekturen wie In-Memory-Computing und neuromorphes Computing.
CEO Coby Hanoch kommentierte den jüngsten Meilenstein der Technologieentwicklung des Unternehmens wie folgt:
"Weebit Nano macht weiterhin bedeutende technische und kommerzielle Fortschritte im Embedded-Sektor - erst kürzlich haben wir unsere ReRAM-Technologie erfolgreich auf 28nm skaliert. Mit der Entwicklung unserer ersten Kilobit-Crossbar-Arrays, die unsere ReRAM-Technologie mit der Selektor-Technologie von CEA-Leti kombinieren, setzen wir unseren Weg zu diskreten Speicherlösungen fort.
Die Entwicklung eines solchen Crossbar-Arrays ist ein sehr innovativer Prozess, der umfangreiche Forschung erfordert. Im Rahmen dieser Arbeit haben wir vor kurzem zusammen mit CEA-Leti mehrere neue Patente angemeldet, um das geistige Eigentum von Weebit an ReRAM weiter zu schützen, wobei der Schwerpunkt auf 1S1R-Architekturen und der Programmierung von Selektorzellen liegt."
Antwort auf Beitrag Nr.: 70.529.747 von H2OAllergiker am 17.01.22 10:32:07
https://de.marketscreener.com/kurs/aktie/WEEBIT-NANO-LIMITED…
Ich weiß aber nicht, von wann die Daten sind. Da der israelische Pensionsfund schon mit aufgeführt wird, dürfte es relativ aktuell sein.
Zitat von H2OAllergiker: Hi zusammen, kann mir jemand sagen, ob und in welchem Maße das Management hier selbst investiert ist?
https://de.marketscreener.com/kurs/aktie/WEEBIT-NANO-LIMITED…
Ich weiß aber nicht, von wann die Daten sind. Da der israelische Pensionsfund schon mit aufgeführt wird, dürfte es relativ aktuell sein.
Hi zusammen, kann mir jemand sagen, ob und in welchem Maße das Management hier selbst investiert ist?
Antwort auf Beitrag Nr.: 70.528.241 von microby am 17.01.22 08:10:31
HotCopper, eine gute Anlaufstelle für Informationen zu ASX Titeln:
https://hotcopper.com.au/asx/wbt/
Zitat von microby: PS: HC Forum?? Danke für Aufklärung
HotCopper, eine gute Anlaufstelle für Informationen zu ASX Titeln:
https://hotcopper.com.au/asx/wbt/
Antwort auf Beitrag Nr.: 70.509.782 von error_ am 14.01.22 14:39:41
im Februar, 22te, findet die Jahresversammlung statt, Link zur Info, hier sind auch die Zahlen der letzten shares Stände und Fonds drin
https://cdn-api.markitdigital.com/apiman-gateway/ASX/asx-res…
PS: HC Forum?? Danke für Aufklärung
General Meeting 22 February
Zitat von error_: Ja, und der Einstieg der israelischen Pensionsfunds. --> Info in aktueller Meldung
Ich bin übrigens durch den Silicon100 Bericht von EE Times auf WeeBit aufmerksam geworden.
Es gibt noch weitere Konkurrenten, z.B. 4DS Memory aus Australien. Laut dem HC Forum scheint das Management dort aber nicht das beste zu sein...
im Februar, 22te, findet die Jahresversammlung statt, Link zur Info, hier sind auch die Zahlen der letzten shares Stände und Fonds drin
https://cdn-api.markitdigital.com/apiman-gateway/ASX/asx-res…
PS: HC Forum?? Danke für Aufklärung
Antwort auf Beitrag Nr.: 70.526.684 von error_ am 16.01.22 20:42:47Oktober 2020 meinte ich, nicht 21...
Antwort auf Beitrag Nr.: 70.526.465 von Goofy123 am 16.01.22 19:58:30
Ich habe das nicht wirklich herausgefunden. Die Aktie ist ja vorher schon seit Mitte Oktober 21 gut gelaufen, in den ASX-Ankündigungen findet man im Zeitraum bis zum Januar u.a. diverse "Neueinstellungen", Finanzierungen, Umstieg auf die 28nm Technologie und die Partnerschaft mit LEI.
Zitat von Goofy123: Und weiß jemand was den Peak im Jan 21 ausgelöst hat?
Ich habe das nicht wirklich herausgefunden. Die Aktie ist ja vorher schon seit Mitte Oktober 21 gut gelaufen, in den ASX-Ankündigungen findet man im Zeitraum bis zum Januar u.a. diverse "Neueinstellungen", Finanzierungen, Umstieg auf die 28nm Technologie und die Partnerschaft mit LEI.
18.03.24 · globenewswire · Weebit Nano |
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