AIXTRON überzeugt: Vishay setzt auf ihre SiC-Multiwafer-Batch-Technologie
Vishay Intertechnology setzt auf die G10-SiC Technologie von AIXTRON, um seine Produktionskapazitäten im Bereich SiC-Epitaxie zu erweitern. Die Implementierung erfolgt in der Newport-Fabrik in Südwales.
Foto: AIXTRON
- Vishay Intertechnology hat sich für die G10-SiC von AIXTRON entschieden, um die eigenen Kapazitäten im Bereich SiC-Epitaxie zur Produktion von Leistungsbauelementen zu erhöhen.
- Die G10-SiC-Technologie wird in Vishays automotive-zertifizierter Newport-Fabrik in Südwales eingesetzt.
- Die flexible Konfiguration der G10-SiC ermöglicht den einfachen Wechsel zu größeren Wafer-Durchmessern.
- Vishay ist einer der weltweit größten Hersteller von diskreten Halbleitern und passiven elektronischen Komponenten.
- Die G10-SiC Epi-Produktionsanlage ermöglicht eine hervorragende Kostenstruktur und eine exzellente Gleichförmigkeit über den gesamten 200-mm-Waferdurchmesser.
- Seit ihrer Markteinführung im September 2022 hat sich AIXTRONs G10-SiC-Anlage schnell zur führenden Anlage für 150 mm- und 200 mm-SiC-Epitaxie entwickelt.
Der nächste wichtige Termin, Veröffentlichung Quartalsfinanzbericht (Stichtag Q1), bei AIXTRON ist am 25.04.2024.
Der Kurs von AIXTRON lag zum Zeitpunkt der Nachricht bei 22,485EUR und lag im Vergleich zum Vortag mit +3,76 % im Plus.
13 Minuten nach Veröffentlichung des Artikels lag der Kurs bei 22,580EUR das entspricht einem Plus von +0,42 % seit der
Veröffentlichung.
Der Index MDAX stand zu diesem Zeitpunkt bei 26.566,97PKT (+0,68 %).
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