Transphorm auf der APEC 2024

SuperGaN Innovation für Niedrig- bis Hochspannungsanwendungen

Silver Partner Transphorm, Inc. (Nasdaq: TGAN)—global führend bei robusten GaN-Leistungshalbleitern —hat heute angekündigt, dass der Auftritt auf der APEC 2024 die führende Position des Unternehmens im Bereich Breitband (niedrige bis hohe Spannung) GaN-Spannungsumwandlung unterstreichen wird. Dank dieser Fähigkeiten ist Transphorm das einzige GaN-Halbleiterunternehmen, das die Vorteile der Leistung von GaN Herstellern von Systemen mit höherer Leistung zugänglich machen kann. Besucher können Transphorm während der Veranstaltung vom 25. bis 29. Februar am Stand 1813 besuchen.

In diesem Jahr wird Transphorm wichtige Innovationen vorstellen. Dazu gehören das erste 1200 V GaN-on-Sapphire Gerätemodell mit führender Kurzschlussfestigkeit . Das flexible SuperGaN Geräteportfolio des Unternehmens wird auch im Mittelpunkt stehen. Darin enthalten sind die vor Kurzem angekündigten Pakete TO-247-4L, TOLL und TOLT, die eine komplette, flexible Paketauswahl für Systeme mit hoher Spannung bieten, die unterschiedliche Konfigurationen für die Kühlung benötigen. Demonstrationen vor Ort werden die Technik des Unternehmens an den unterschiedlichsten bahnbrechenden Stromsystemen vorführen, von der unterbrechungsfreien Hochleistungsversorgung in beide Richtungen bis hin zum Solarenergie-Mikro-Wechselrichter mit Unterbrechungen sowie 2- und 3-rädrige elektrische Fahrzeugsysteme.

Transphorm’s Fähigkeit, Kunden mit überlegenen GaN-Lösungen zu versorgen, die Wettbewerber schlagen (d.h. e-mode GaN, SiC, silicon) ist bedingt durch die zukunftsweisende SuperGaN-Plattform, die mit fundamentalen physikalischen Prozessen arbeitet. Transphorm stellt eine stromlos geschaltete d-Modus GaN-Technik in Kaskade her. Dank dieser Designkonfiguration können inhärente Plattformphänomene optimal funktionieren. Zu diesen Phänomenen gehören der 2DEG GaN HEMT-Kanal und die SiO2/Si Gate-Schnittstelle (erstellt durch die Niedrigspannungs-MOSFET zusammen mit Transphorm’s GaN HEMT). Hier kann das vor Kurzem vom Unternehmen erstellte White Paper heruntergeladen werden, in dem diese Vorteile erläutert werden: https://bit.ly/dmodeadvwp .

Eine Hauptplattform für das gesamte Leistungsspektrum

Transphorm ist der führende Hersteller von GaN-Spannungshalbleitern, der sich durch seine Technologien abhebt:

Produzierbarkeit: Vertikal integriert mit EPI-Design, Wafer-Verfahren und FET-Die-Design.

Design: Angebot von bekannten Industriestandardpaketen und Leistungspaketen und Partnerschaft mit bekannten global führenden Unternehmen für Firmware (Microchip Technology) und Hardwareintegration (Weltrend Semiconductor) für reibungslosen Einbau des Designs.